Нитрид алюминия (АlN)
Керамика из нитрида алюминия (Алин) отличается высокой теплопроводностью (≥170 Вт/м·К), превосходной электроизоляцией и низким тепловым расширением, что делает ее идеальной для рассеивания тепла и электронной упаковки, особенно для мощной и высокочастотной электроники. Как и другие керамические материалы, она обладает высокой твердостью, превосходной механической прочностью, коррозионной стойкостью и высокотемпературной стабильностью, что делает ее пригодной для структурных компонентов в суровых условиях.
Керамика АlN обеспечивает превосходную термическую стабильность, сохраняя свои свойства выше 2000°C в инертной атмосфере. На воздухе окисление начинается примерно при 600–700°C, образуя защитный слой Al2O3, который замедляет дальнейшее окисление. Этот слой остается стабильным примерно до 1370°C, но при более высоких температурах окисление может прогрессировать, что может повлиять на целостность материала.
Характеристики
Высокая твердость и превосходная механическая прочность
Отличная устойчивость к высоким температурам
Тепловое расширение аналогично расширению кремния
Превосходная теплопроводность
Отличная коррозионная стойкость
Нетоксичный и экологически чистый
Высокая электрическая прочность пробоя
Низкая диэлектрическая проницаемость и минимальные диэлектрические потери
Техническая спецификация
Элемент | Единица | Технические параметры |
Чистота | - | 95 |
Цвет | - | Светло-серый |
Плотность | г/см3 | ≥3,30 |
Поглощение воды | - | 0% |
Твердость (ХВ0.5) | - | 1130 |
модуль Юнга | ГПа | 310-320 |
Вязкость разрушения | МПа.м1/2 | 3.5 |
Прочность на изгиб при 25℃ | МПа | 330 |
Прочность на сжатие при 25℃ | МПа | 2100 |
Теплопроводность при 25℃ | В/МК | ≥170 |
Коэффициент теплового расширения (20~300℃) | 10-6/℃ | 4.7 |
Устойчивость к термическому удару | △℃ | 400 |
Макс. рабочая температура @Кондиционер | ℃ | 900 |
Макс. рабочая температура @Условие защиты инертного газа | ℃ | 1800 |
Температура плавления | ℃ | 2500 |
Диэлектрическая прочность | КВ/мм | 17 |
Объемное сопротивление | Ом.см | ссшшш1014 |
Диэлектрическая проницаемость (1 МГц, 25℃) | - | 9 |
Диэлектрические потери (1 МГц, 25℃) | - | 0,001 |
Приложения
Модули полупроводникового оборудования
Оптическая связь и радиочастотные модули
Светодиодные и лазерные упаковочные модули
Модули силовой электроники
Компоненты терморегулирования
Высокочастотные микроволновые и радиолокационные модули
Медицинские и сенсорные модули
Сопутствующие товары
ссшшшАлН пластина | ссшшшАлН Диск | ссшшшАлН Тигель | |
ссшшшАлН Стержень | ссшшшАлН Диск с монтажными отверстиями | тсссссПодложка АlN | |
ссшшшАлН Изоляционный лист | ссшшшАлН Изоляторные детали |